SK Hynix Kembangkan 3D Stacked RAM untuk Dongkrak Performa AI Ponsel

Sektor pemrosesan kecerdasan buatan lokal atau On-Device AI pada smartphone kerap menemui hambatan akibat terbatasnya performa memori DRAM. Masalah tersebut mendorong SK Hynix untuk menghadirkan terobosan baru melalui pengembangan teknologi 3D Stacked RAM.

Pengembangan arsitektur memori modern ini menerapkan konsep DRAM-on-logic yang memungkinkan chip memori ditumpuk tepat di atas pemroses utama atau System on Chip (SoC), dilansir dari Gamebrott.

Metode penumpukan chip ini berhasil memangkas jarak fisik antar komponen secara signifikan. Selain itu, lebar jalur transfer data meningkat pesat tanpa memperbesar ukuran fisik komponen.

Penggunaan arsitektur baru tersebut tidak hanya mempercepat proses transfer data. Teknologi ini juga mampu menekan konsumsi daya baterai dan meminimalkan tingkat panas berlebih pada perangkat.

Langkah strategis SK Hynix dalam mematangkan 3D Stacked RAM diproyeksikan akan menetapkan standar baru bagi industri ponsel pintar kelas atas. Produsen raksasa seperti Apple dan Samsung diprediksi menjadi yang pertama mengadopsi arsitektur ini.

Hadirnya inovasi infrastruktur memori tersebut memungkinkan pengguna menikmati berbagai pemrosesan fitur AI canggih secara langsung dari genggaman dengan lebih cepat, aman, dan efisien.